赛威 SF115X 自供电PSR 5V1A 三绕组方案介绍
分类:新闻动态 发布时间:2023-03-15 13:31:58 作者: 赛威科技 浏览量: 2983
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赛威 SF115X 自供电PSR 系列,内置BJT 方案,拥有极低的系统成本、极高的电气性能和可靠性等,本篇将以SF1152 为例,为大家重点介绍5V1A 三绕组方案

产品推出背景

赛威 SF115X 自供电PSR 系列,内置BJT 方案,拥有极低的系统成本、极高的电气性能和可靠性等,本篇将以SF1152 为例,为大家重点介绍5V1A 三绕组方案:

 

产品优势/亮点(产品介绍

 

SF1152是一款高精度,高集成度的内置BJT,自供电PSR 恒流恒压方案,可以满足市场极少外围应用,5W 产品需求。可根据市场应用需求,兼容三绕组和双绕组应用,该芯片采用专利的“NC-Cap/PSR-VTM ”,可实现小于±5%的恒压恒流精度,且该芯片内置了专利的输出电压线损补偿,拥有输出短路和过流保护功能,同时支持较低充电电压需求(恒流范围较宽)。

 1.png

系统应用特点:

 1.双绕组应用相对普通三绕组方案,外围器件少10ea,且变压器少一个绕组(总器件12PCS)

 2.供电电容1uF 以上;

 3.应用(满足安规,EMC情况),相对普通三绕组方案,外围器件少6ea (总器件21PCS)

 

电路图:

SF1152 5V1A 三绕组原理图

01.png 

 

 

Demo. 图片展示:

         图1 装配后的印刷电路板(顶视图)

        图2 装配后的印刷电路板(底视图)

02.png

03.png

 

能效测试数据:

SF1152  5V1A

Vin      (Vac)

Iout        (A)

Vout        (V)

Pin             (W)

Vripple       ( mv_p-p)

η_board             (%)

OCP       (A)

AVerage    η (%)

DoE/CoC t2

VI  Spec     η (%)

115

0.000

4.994

0.024

/

0.0

1.08

75.19


0.25

4.784

1.597

/

74.89

0.5

4.846

3.22

/

75.25

0.75

4.96

4.939

/

75.32

1

5.10

6.773

120

75.3

230

0.000

4.8

0.036

/

0.0

1.136

74.53

0.25

4.802

1.635

/

73.88

0.5

4.88

3.275

/

74.5

0.75

4.995

5.012

/

74.75

1

5.13

6.84

110

74.99

 

关键器件温度测试数据:

SF1152  5V1A 温度测试 (Load=CC 1A)

VIN(AC)

U1(℃) SF1152

D2(℃)

Tc(℃)

Tw(℃)

AMB(℃)

90

97.9

113.6

81.6

90.8

40

264

105.6

118.2

84.9

93.6

40

备注:密闭外壳,Chamber 40℃


EMC 测试数据:

230Vin  5V1A  L

230Vin  5V1A  N

001.png

002.png

 

120Vin  5V1A  RE

230Vin  5V1A  RE

003.png

004.png

  

设计注意事项:

1.     VCC 电容建议不小于1uF(1uF~2.2uF);

2.     PCB Layout ,主功率环路越小越好,且不能将芯片包围;

3.     因芯片固定Ipk ,系统设计时,需通过调整变压器匝比,以满足输出电流要求,

   同时需注意输出功率管耐压降额;

4.     变压器设计时,系统工作频率设置在50KHz 左右;