SF6649 是一款高精度，高集成度的内置大功率 MOSFET 控制芯片，可以满足市场 20W PD 产品应用（满足手机，平板电脑等等，居家多种数码产品充电功率需求 ）。该芯片的能效平衡技术，大大提高了系统轻载效率，同时拥有 OCP 零间隙恢复，能更好的满足客户要求，采用优化降频技术，改善市场普通充电器固有的噪音问题，客户使用体验感更好。

     副边 SF7719X 是一款高性能的同步整流芯片，内部集成同步整流 MOS，适用于隔离型的 CCM DCM 和 QR模式应用，满足充电器 / 适配器中对高效率的需求场合。同时拥有输出欠压保护功能，可提高系统可靠性。

特色概述

    ◆ 此方案设计为市场 20W PD 快速充电方案；

    ◆ 副边应用我司的内置 MOS 同步整流 SF7719X，电路外围极简单，空间小，成本低；

    ◆ 高效率、低待机功耗

        Efficiency ≥ 87.2%@115/230Vac，满足六级能效并有足够余量(DoE 6/CoC V6 Tier2    

        空载待机功耗<75mw@230Vac , 5Vo

    ◆ 符合 EMI 测试标准

         EN55022 Class B 标准

    ◆ SF6649 具有输出短路保护、输出过压/过流保护等，Vcc 宽电压供电范围，相对常规方案可省 LDO 电路

电路原理图