SiFirst
赛威科技成功开发出700V超高压浮动盆器件
2013-03-13
 赛威科技(SiFirst Technology) 继成功开发出专利的新一代700V超高压启动器件后,近日又宣布其700V超高压"浮动盆"(floating tube)核心器件的开发取得重大突破。
        700V超高压BCD器件在开关电源尤其是AC/DC芯片领域一直为国外大公司所垄断,赛威科技自2009年成立以来,一直以此领域作为研发重点,并且和国内知名半导体厂家建立了战略合作关系。近两年以来在该领域相继取得重大突破。比如成功开发了新一代700V超高压启动器件,既能够大大降低系统空载的损耗,可以在100W系统中实现低于50mW的超低待机功耗,为目前业内先进水平,赛威科技利用此器件成功开发出实现超低待机功耗的HV-mWTM技术,并且推出了SF5580系列和第二代准谐振芯片SF5877等。
         赛威科技这次成功开发的700V"浮动盆"(floating tube)器件,采用新一代硅基700V BCD工艺,相对于国外公司的SOI器件,显著降低了芯片成本,同时该器件具有漏电流小,器件安全工作范围(SOA)宽等优点,适合应用于各种半桥(Half bridge)驱动芯片领域。
        赛威科技研发总监林官秋指出:"赛威科技这次开发的700V floating tube器件,具有完全的自主知识产权。该器件是在半导体上采用PN结隔离实现了一个"浮动盆",相对于衬底电压,可以完全隔离,适合半桥领域High Side驱动。相对于国外大公司类似器件,具有寄生效应小,耐压高(可达700V以上)"。
         赛威科技COO叶俊指出:"国内芯片公司一直在芯片设计端进行低水平重复竞争,而国外大公司在电源芯片领域的垄断地位很大程度上是建立在核心半导体器件的高准入门槛基础上。赛威科技认为国内芯片公司要缩小和国外半导体大公司的差距,核心半导体器件的开发是一个重要方向。赛威科技这次开发的700V超高压"浮动盆(floating tube)"器件填补了国内空白。赛威科技后续将在此基础上继续完善,开发出半桥谐振(LLC)等大功率开关电源芯片,缩小和国际先进水平的差距"。